轎車從天而降電動車主被撞身亡 超速搶道所致：現場視頻讓網友吵翻
近日，上海青浦區法院判決轎車從天而降電動車主被撞身亡案，轎車車主被判有期徒刑一年。案件顯示當時男子駕駛轎車在上海某路段行駛，前車忽然轉彎提速超車，
快科技8月27日消息，華為服務器處理器鯤鵬系列要更新了，畢竟鯤鵬920是2019年發布的。
現在，有媒體曝光了華為鯤鵬930的信息，看起來升級幅度相當的大，有可能也用上了5nm工藝。
報道中提到，鯤鵬930的封裝尺寸約為77.5mm x 58.0mm（畢竟是120核心），這是一個很大的尺寸，這主要是由于鯤鵬930采用Chiplet（小芯片）配置，由四個不同的芯片組成。
因此，整個芯片封裝由四個不同的計算小芯片組成，面積約為252.3 mm?，以及一個大型 I/O die，面積約為312.3 mm。與鯤鵬920相比，后繼產品的 I/O die 面積大約大了81.26%，主要是因為它提供了更高的96通道內存連接。
具體到CPU die的尺寸為 23.47mm x 10.75mm，包含十個CPU集群，每個集群由四個CPU內核，這意味著單個CPU die 有 40 個CPU內核。因此，鯤鵬930 的CPU內核總數為120個。
每個CPU die都擁有2MB 的二級緩存并共享 91MB 的三級緩存。仔細檢查 CPU 芯片可以得出結論，它基于華為自研的基于Arm指令集的“泰山”核心。
如果簡單來說，那就是鯤鵬930的CPU內核數量是前代鯤鵬920的2倍左右，以此來推算的話，可能是5nm工藝驅動的更高SRAM密度。
如果真是這樣的話，那么5nm工藝必然也會用到麒麟9300上。
要知道，之前就有博主爆料稱，外界盛傳的國產N+3（外界盛傳達到125mtr）工藝消息大概率是靠譜的，因為專利顯示的H210G56指標，計算下來就是125mtr的布線密度。
博主表示，如果真成了，那也意味著國產5nm工藝就達成穩了。
據悉，中芯國際的N+3工藝具有顯著的晶體管密度，達到了125MTr/mm（即每平方毫米125億個晶體管）。這一密度介于臺積電的N6（113MTr/mm）與三星早期的5nm（127MTr/mm）工藝之間，相當于臺積電的5.5nm工藝水平。
若以14nm工藝為基點（密度約35MTr/mm），N+3的密度提升幅度超過了250%，這標志著中芯國際在FinFET架構上的持續優化能力。
盡管N+3的命名容易讓人聯想到“等效5nm”，但其實際性能功耗表現對標的是臺積電的N7P（7nm增強版）和N6工藝。這意味著在相同晶體管數量下，中芯國際N+3的能效可能比臺積電的N5/N4工藝落后約15%~20%，這主要受限于EUV光刻機的短缺導致的工藝復雜度不足。然而，對于長期依賴成熟制程的國產芯片而言，這一進步已經足夠打破多項技術瓶頸。
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